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可控硅電容器投切原理

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-04-18    瀏覽量:載入中...

TSC補(bǔ)償原理和并聯(lián)電容器補(bǔ)償?shù)脑硎且粯拥模皇前央娙萜鞣殖啥嘟M,根據(jù)負(fù)荷的實(shí)際大小確定投入補(bǔ)償電容器組的數(shù)量。

TSC的補(bǔ)償曲線圖

晶閘管投切電容器(TSC)優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn):
1、控制簡單
2、在負(fù)荷周期性較強(qiáng)的場合比較適用

缺點(diǎn):
1、不能提供連續(xù)無功功率
2、不具備濾波能力
3、不具備治理閃變及抑制電壓波動的能力
4、存在使用系統(tǒng)諧振的風(fēng)險(xiǎn)
5、存在軟啟動設(shè)備的現(xiàn)場使用受限

晶閘管投切模塊(三相)

希拓電氣晶閘管模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。


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