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圖1 可控硅基本伏安特性
(1)反向特性
當(dāng)控制極開(kāi)路,陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)(詳見(jiàn)圖2),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,接差J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開(kāi)始彎曲,如特性O(shè)R段所示,彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí),可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向。
(2)正向特性
當(dāng)控制極開(kāi)路,陽(yáng)極上加上正向電壓時(shí)(見(jiàn)圖3),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過(guò)很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,圖3的特性發(fā)生了彎曲,如特性O(shè)A段所示,彎曲處的是UBO叫:正向轉(zhuǎn)折電壓
由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子時(shí)入N1區(qū),空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過(guò)J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合,同樣,進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過(guò)J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合,雪崩擊穿,進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉,這樣,在N1區(qū)就有電子積累,在P2區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使P2區(qū)的電位升高,N1區(qū)的電位下降,J2結(jié)變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性,見(jiàn)圖3的虛線AB段。
這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏,可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài),此時(shí),它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,(可見(jiàn)圖2中的BC段)
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